DRDO की SSPL ने स्वदेशी सिलिकॉन कार्बाइड वेफ़र और GaN MMIC तकनीक विकसित की

📅 11 नवंबर 2024 📍 भारत महत्वपूर्ण

11 नवंबर 2024 को रक्षा मंत्रालय ने बताया कि DRDO की ठोस अवस्था भौतिकी प्रयोगशाला ने 4-इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफ़र बनाने और X-बैंड तक के GaN HEMT आधारित MMIC बनाने की स्वदेशी प्रक्रियाएँ विकसित की हैं।

सारांश

11 नवंबर 2024 को रक्षा मंत्रालय ने बताया कि DRDO की प्रयोगशाला, ठोस अवस्था भौतिकी प्रयोगशाला (SSPL), ने 4-इंच व्यास के सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफ़र उगाने और बनाने तथा X-बैंड तक के अनुप्रयोगों के लिए गैलियम नाइट्राइड (GaN) हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांज़िस्टर (HEMT) आधारित मोनोलिथिक माइक्रोवेव इंटीग्रेटेड सर्किट (MMIC) बनाने की स्वदेशी प्रक्रियाएँ विकसित की हैं। यह तकनीक बेहतर दक्षता और कम आकार व भार देती है, जो भविष्य की युद्ध प्रणालियों, रडार, इलेक्ट्रॉनिक युद्ध और हरित ऊर्जा के लिए उपयोगी है। सीमित उत्पादन क्षमता वाले स्वदेशी GaN-on-SiC MMIC GAETEC, हैदराबाद में स्थापित किए गए हैं।

मुख्य तथ्य

तिथि: 11 नवंबर 2024
प्रयोगशाला: ठोस अवस्था भौतिकी प्रयोगशाला (DRDO)
वेफ़र: 4-इंच सिलिकॉन कार्बाइड (SiC)
उपकरण: X-बैंड तक GaN HEMT आधारित MMIC
उत्पादन: GAETEC, हैदराबाद में GaN-on-SiC MMIC
उपयोग: रडार, इलेक्ट्रॉनिक युद्ध, युद्ध प्रणालियाँ, हरित ऊर्जा

अभ्यास MCQ 3 प्रश्न

Q1 उन्नत

4-इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफ़र और GaN HEMT आधारित MMIC की स्वदेशी प्रक्रियाएँ (नवंबर 2024 में घोषित) किस DRDO प्रयोगशाला ने विकसित कीं?

उत्तर देखें

सही उत्तर: C — ठोस अवस्था भौतिकी प्रयोगशाला

PIB (MoD): DRDO की प्रयोगशाला, ठोस अवस्था भौतिकी प्रयोगशाला ने ये प्रक्रियाएँ विकसित कीं।

Q2 उन्नत

DRDO की SSPL द्वारा विकसित स्वदेशी सिलिकॉन कार्बाइड वेफ़र का व्यास कितना है?

उत्तर देखें

सही उत्तर: D — 4 इंच

PIB (MoD): SSPL ने 4-इंच व्यास के SiC वेफ़र उगाने और बनाने की प्रक्रियाएँ विकसित कीं।

Q3 उन्नत

स्वदेशी GaN-on-SiC MMIC का सीमित उत्पादन कहाँ स्थापित किया गया है?

उत्तर देखें

सही उत्तर: A — GAETEC, हैदराबाद

PIB (MoD): सीमित उत्पादन क्षमता वाले स्वदेशी GaN-on-SiC MMIC GAETEC, हैदराबाद में स्थापित किए गए हैं।